Photoelectric properties of heterojunctions based on semiconducting metal oxides and indium selenide

Abstract

The results of a comparison of the photosensitivity of heterojunctions based on InSe layered semiconductor and various wide band gap oxides (Mn2O3, CuFeO2, Fe2O3) produced by the spray pyrolysis method are given. The photoresponse of the heterojunction irradiated from the side of metal oxides was studied in the photon energy range of 1.2÷3 eV. The possibility of the formation of In2Se3 phase between of InSe and oxides and its effect on the photosensitivity of the heterostructures have been considered. Наведено результати порівняння фоточутливості гетеропереходів на основі шаруватого напівпровідника InSe та різних оксидів із широкою забороненою зоною (Mn2O3, CuFeO2, Fe2O3), отриманих методом розпилювального піролізу. Фотовідгук гетеропереходу, опроміненого з боку оксидів металів, досліджували в діапазоні енергій фотонів 1,2÷3 еВ. Розглянуто можливість утворення фази In2Se3 між InSe та оксидами та її вплив на фоточутливість гетероструктур.