Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.bsmu.edu.ua/handle/123456789/27938
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorTkachuk, I.G.-
dc.contributor.authorOrletskii, I.G.-
dc.contributor.authorKovalyuk, Z.D.-
dc.contributor.authorIvanov, V.I.-
dc.contributor.authorZaslonkin, A.V.-
dc.contributor.authorKusnir, B.V.-
dc.contributor.authorТкачук, I.Г.-
dc.contributor.authorОрлецький, І.Г.-
dc.contributor.authorКовалюк, З.Д.-
dc.contributor.authorІванов, В.І.-
dc.contributor.authorЗаслонкін, А.В.-
dc.contributor.authorКушнір, Б.В.-
dc.date.accessioned2026-04-16T08:02:16Z-
dc.date.available2026-04-16T08:02:16Z-
dc.date.issued2025-
dc.identifier.issn1729-4428 (Print)-
dc.identifier.issn2309-8589 (Online)-
dc.identifier.otherDOI: 10.15330/pcss.26.2.231-234-
dc.identifier.urihttps://dspace.bsmu.edu.ua/handle/123456789/27938-
dc.description.abstractThe results of a comparison of the photosensitivity of heterojunctions based on InSe layered semiconductor and various wide band gap oxides (Mn2O3, CuFeO2, Fe2O3) produced by the spray pyrolysis method are given. The photoresponse of the heterojunction irradiated from the side of metal oxides was studied in the photon energy range of 1.2÷3 eV. The possibility of the formation of In2Se3 phase between of InSe and oxides and its effect on the photosensitivity of the heterostructures have been considered. Наведено результати порівняння фоточутливості гетеропереходів на основі шаруватого напівпровідника InSe та різних оксидів із широкою забороненою зоною (Mn2O3, CuFeO2, Fe2O3), отриманих методом розпилювального піролізу. Фотовідгук гетеропереходу, опроміненого з боку оксидів металів, досліджували в діапазоні енергій фотонів 1,2÷3 еВ. Розглянуто можливість утворення фази In2Se3 між InSe та оксидами та її вплив на фоточутливість гетероструктур.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherЖурнал “Фізика і хімія твердого тіла”uk_UA
dc.subjectindium selenideuk_UA
dc.subjectheterostructureuk_UA
dc.subjectphotoresponseuk_UA
dc.subjectселенід індіюuk_UA
dc.titlePhotoelectric properties of heterojunctions based on semiconducting metal oxides and indium selenideuk_UA
dc.title.alternativeГетеропереходи на основі напівпровідникових оксидів металів та селеніду індіюuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Статті. Кафедра біологічної фізики та медичної інформатики

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Tkachuk_Photoelectric properties _en_2025_2.pdf418.86 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.