Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://dspace.bsmu.edu.ua/handle/123456789/7724
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorSavchuk, A.I.
dc.contributor.authorMakhniy, V.P.
dc.contributor.authorFediv, V.I.
dc.contributor.authorKleto, G.I.
dc.contributor.authorSavchuk, S.A.
dc.contributor.authorPerrone, A.
dc.contributor.authorCutrera, L.
dc.date.accessioned2014-09-26T08:35:22Z
dc.date.available2014-09-26T08:35:22Z
dc.date.issued2014-09-26
dc.identifier.urihttps://dspace.bsmu.edu.ua/handle/123456789/7724
dc.description.abstractSingle doped Zn1-xMnxO, Zn1-xFexO and codoped Zn1-x-yMnxFeyO, Zn1-x-yMnxSnyO, Zn1-x-yMnxLiyO, Zn1-x-yFexAlyO thin films were grown on sapphire and glass substrate by pulsed laser deposition and RF sputtering techniques. No secondary phases was detected from XRD analysis. Among the studied oxide films single doped with Fe and codoped with (Mn,Fe) and (Fe, Al) exhibit n-type conductivity and room temperature ferromagnetic behaviour. For the films codoped with (Mn, Sn) formation of clusters including nanowire-like structures was shown from AFM analysis. Optical and magnetooptical studies suggest of Mn, Fe, Sn and Li substitution for Zn2+ ions in ZnO lattice.ru_RU
dc.description.sponsorshipThis research was partially supported by the Ministry of Education and Science of Ukraine.ru_RU
dc.language.isoenru_RU
dc.relation.ispartofseriesIOP Conf. Series: Materials Science and Engineering;8 (2010) 012042 doi:10.1088/1757-899X/8/1/012042
dc.titleEffects of codoping in ZnO-based semimagnetic semiconductor thin filmsru_RU
dc.typeArticleru_RU
Розташовується у зібраннях:Статті. Кафедра біологічної фізики та медичної інформатики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2010_(1).pdf511.88 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.