Electrical properties of photosensitive n-SnS2/p-lnSe heterostructures fabricated by spray pyrolysis

Abstract

The conditions for manufacturing photosensitive anisotype heterojunctions n-SnS2/p-lnSe by spray-pyrolysis of thin SnS2 films on p-lnSe crystalline substrates were investigated. The energy parameters of the heterojunction and the mechanisms of current formation in the heterostructure were determined by analyzing the temperature dependences of the direct and inverse /-©-characteristics. A model for determining the height of the energy barrier in structures with high resistance of the base region was proposed. The profile of the energy diagram of the heterostructure was established, which is in good agreement with the experimentally observed electrophysical phenomena. The processes of photocurrent formation in the heterostructure were analyzed. Досліджено умови виготовлення фоточутливих анізотипних гетеропереходів n-SnS2/p-lnSe методом спрей-піролізу тонких плівок SnS2 на кристалічні підкладки p-lnSe. За аналізом температурних залежностей прямих і зворотних /-©-характеристик визначено енергетичні параметри гетеропереходу та механізми формування струмів у гетероструктурі. Запропоновано модель визначення висоти енергетичного бар’єру у структурах з високим опором базової області. Встановлено профіль енергетичної діаграми гетероструктури, яка добре узгоджується із спостережуваними експериментально електрофізичними явищами. Проаналізовано процеси утворення фотоструму у гетеро- структурі.