Electrical and Photoresponse Properties of NiFe2O4/InSe Heterojunction

Abstract

The conditions for the spray-pyrolysis deposition of thin semiconductor ferrite films n-NiFe2O4 on substrates of crystalline layered semiconductor n-InSe were investigated at a temperature of 623 K to create photosensitive heterojunctions n-NiFe2O4/n-InSe. The temperature dependence of the forward and reverse current-voltage characteristics determined the mechanisms of current flow through the heterojunction. The spectral photosensitivity of the heterojunction n-NiFe2O4/n-InSe in the energy range 1.26÷3.2 eV was analyzed. Досліджені умови нанесення методом спрей-піролізу при температурі 623 К тонких напівпровідникових феритових плівок n-NiFe2O4 на підкладки з кристалічного шаруватого напівпровідника n- InSe для створення фоточутливих гетероперехолів n-NiFe2O4/n-InSe. За температурною залежністю прямих і зворотних вольт-амперних характеристик встановлено механізми протікання струмів крізь гетероперехід. Проаналізована спектральна фоточутливість гетеропереходу n-NiFe2O4/n-InSe в діапазоні енергії 1.26÷3.2 еВ.