https://dspace.bsmu.edu.ua/handle/123456789/929 2026-04-16T11:04:29Z https://dspace.bsmu.edu.ua/handle/123456789/27938 Title: Photoelectric properties of heterojunctions based on semiconducting metal oxides and indium selenide Authors: Tkachuk, I.G.; Orletskii, I.G.; Kovalyuk, Z.D.; Ivanov, V.I.; Zaslonkin, A.V.; Kusnir, B.V.; Ткачук, I.Г.; Орлецький, І.Г.; Ковалюк, З.Д.; Іванов, В.І.; Заслонкін, А.В.; Кушнір, Б.В. Abstract: The results of a comparison of the photosensitivity of heterojunctions based on InSe layered semiconductor and various wide band gap oxides (Mn2O3, CuFeO2, Fe2O3) produced by the spray pyrolysis method are given. The photoresponse of the heterojunction irradiated from the side of metal oxides was studied in the photon energy range of 1.2÷3 eV. The possibility of the formation of In2Se3 phase between of InSe and oxides and its effect on the photosensitivity of the heterostructures have been considered. Наведено результати порівняння фоточутливості гетеропереходів на основі шаруватого напівпровідника InSe та різних оксидів із широкою забороненою зоною (Mn2O3, CuFeO2, Fe2O3), отриманих методом розпилювального піролізу. Фотовідгук гетеропереходу, опроміненого з боку оксидів металів, досліджували в діапазоні енергій фотонів 1,2÷3 еВ. Розглянуто можливість утворення фази In2Se3 між InSe та оксидами та її вплив на фоточутливість гетероструктур. 2025-01-01T00:00:00Z https://dspace.bsmu.edu.ua/handle/123456789/27937 Title: p-SnS/n-InSe Heterostructures Fabricated by the Spray-Pyrolysis Method Authors: Tkachuk, I.G.; Orletskii, I.G.; Kovalyuk, Z.D.; Ivanov, V.I.; Zaslonkin, A.V.; Ткачук, І.Г.; Орлецький, I.Г.; Ковалюк, З.Д.; Іванов, В.I.; Заслонкін, A.В. Abstract: This work is devoted to the fabrication and investigation of electrical and photoelectric characteristics of p-SnS/n-InSe anisotype heterojunctions. Low-temperature spray pyrolysis technology was used to depos- it SnS thin films on InSe crystal substrates. Based on the analysis of temperature dependences of forward and reverse I-V characteristics, the dynamics of changes in the energy parameters of the heterojunction were investigated. Theoretical models describing the behavior of the forward and reverse I-V characteris- tics are proposed. The value of the series and shunt resistances, as well as their influence on the I-V char- acteristics of the heterojunction, was determined. The value of the contact potential difference was esti- mated. The charge transfer was analyzed. The spectral dependence of the quantum efficiency of the p- SnS/n-InSe heterostructure irradiated from the side of the SnS film in the photon energy range of 1.2÷3.2 eV was studied. Дана робота присвячена виготовленню та дослідженню електричних та фотоелектричних харак- теристик анізотипних гетеропереходів p-SnS/n-InSe. Для нанесення тонких плівок SnS на кристалічні підкладки InSe використовувалась технологія низькотемпературного спрей-піролізу. На основі аналі- зу температурних залежностей прямих і зворотних гілок вольт-амперних характеристик досліджено динаміку зміни енергетичних параметрів гетеропереходу. Запропоновано теоретичні моделі, що опи- сують поведінку прямих та зворотних гілок вольт-амперних характеристик. Визначено величину пос- лідовного та шунтуючого опорів, а також їх вплив на вольт-амперні характеристики гетеропереходу. Оцінено величину контактної різниці потенціалу. Встановлено основні механізми протікання струму. Досліджена спектральна залежність квантової ефективності опроміненої зі сторони плівки SnS гете- роструктури p-SnS/n-InSe в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3.2 eV. 2023-01-01T00:00:00Z https://dspace.bsmu.edu.ua/handle/123456789/27936 Title: Electrical properties of photosensitive n-SnS2/p-lnSe heterostructures fabricated by spray pyrolysis Authors: Tkachuk, I.G.; Orletskii, I.G.; Kovalyuk, Z.D.; Maryanchuk, P.D.; Ivanov, V.I.; Ткачук, І.Г.; Орлецький, I.Г.; Ковалюк, З.Д.; Мар'янчук, П.Д.; Іванов, В.І. Abstract: The conditions for manufacturing photosensitive anisotype heterojunctions n-SnS2/p-lnSe by spray-pyrolysis of thin SnS2 films on p-lnSe crystalline substrates were investigated. The energy parameters of the heterojunction and the mechanisms of current formation in the heterostructure were determined by analyzing the temperature dependences of the direct and inverse /-©-characteristics. A model for determining the height of the energy barrier in structures with high resistance of the base region was proposed. The profile of the energy diagram of the heterostructure was established, which is in good agreement with the experimentally observed electrophysical phenomena. The processes of photocurrent formation in the heterostructure were analyzed. Досліджено умови виготовлення фоточутливих анізотипних гетеропереходів n-SnS2/p-lnSe методом спрей-піролізу тонких плівок SnS2 на кристалічні підкладки p-lnSe. За аналізом температурних залежностей прямих і зворотних /-©-характеристик визначено енергетичні параметри гетеропереходу та механізми формування струмів у гетероструктурі. Запропоновано модель визначення висоти енергетичного бар’єру у структурах з високим опором базової області. Встановлено профіль енергетичної діаграми гетероструктури, яка добре узгоджується із спостережуваними експериментально електрофізичними явищами. Проаналізовано процеси утворення фотоструму у гетеро- структурі. 2021-01-01T00:00:00Z https://dspace.bsmu.edu.ua/handle/123456789/27935 Title: Fe2O3/p-InSe Heterostructures Produced by Spray Pyrolysis Method Authors: Tkachuk, I.G.; Orletskii, I.G.; Kovalyuk, Z.D.; Ivanov, V.I.; Zaslonkin, A.V.; Ткачук, І.Г.; Орлецький, I.Г.; Ковалюк, З.Д.; Іванов, В.I.; Заслонкін, A.В. Abstract: A method of manufacturing Fe2O3 films on p-InSe substrates by spray pyrolysis at 703 K for the formation and study of anisotypic n-Fe2O3/p-InSe heterojunctions has been investigated. The advantage of this method is its simplicity and low cost. It does not require complex technological equipment or a high-purity room. The electrical and photoelectric parameters of the heterojunction have been studied. The effect of temperature has been studied, and the regularity of the change in the energy barrier of the heterojunction with increasing temperature has been given. Based on the analysis of the volt-ampere characteristics, the nature of the currents flowing in the heterojunction has been established. To explain the obtained experimental results, an energy diagram of the heterojunction has been constructed, which is based on the known numerical values ​​of the energy parameters of the materials from which the heterostructure is made. The experimental data and the proposed energy diagram are in good agreement with each other. The spectral quantum photosensitivity of the heterojunction has been measured and analyzed. It has been established that n-Fe2O3/p-InSe heterojunctions are photosensitive in the energy range of 1.2÷2.8 eV. Досліджено спосіб виготовлення методом спрей-піролізу при 703 К плівок Fe2O3 на підкладках p-InSe для утворення і вивчення анізотипних гетероперехолів n-Fe2O3/p-InSe. Перевагою даного мето- ду є простота та дешевизна. Він не потребує складного технологічного обладнання чи приміщення висо- кого класу чистоти. Проведено дослідження електричних та фотоелектричних параметрів гетероперехо- ду. Вивчено вплив температури, наведена закономірність зміни енергетичного бар’єра гетеропереходу при підвищенні температури. На основі аналізу вольт амперних характеристик, встановлено природу струмів, які протікають у гетеропереході. Для пояснення отриманих експериментальних результатів, побудована енергетична діаграма гетеропереходу, яка базується на відомих числових значеннях енерге- тичних параметрів матеріалів, з яких гетероструктура виготовлена. Експериментальні дані і запропоно- вана енергетична діаграма добре узгоджується між собою. Виміряна та проаналізована спектральна квантова фоточутливість гетеропереходу. Встановлено, що гетеропереходи n-Fe2O3/p-InSe є фоточутли- вими в діапазоні енергій 1.2÷2.8 еВ. 2024-01-01T00:00:00Z