Електричні властивості фоточутливих гетероструктур n-SnS2/p-InSe. Використання в медичних приладах діагностики

Ткачук, І.Г.

dc.contributor.author	Ткачук, І.Г.
dc.coverage.temporal	22 червня 2022 р.	uk_UA
dc.date.accessioned	2024-06-24T09:46:27Z
dc.date.available	2024-06-24T09:46:27Z
dc.date.issued	2022
dc.identifier.isbn	978-966-697-983-7
dc.identifier.other	УДК 621.315.592
dc.identifier.uri	http://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/25295
dc.description.abstract	Анотація. Досліджені умови виготовлення методом спрей-піролізу тонких плівок SnS2 на кристалічні підкладки p-InSe фоточутливих анізотипних гетеропереходів n-SnS2/p-InSe з подальшим застосуванням у лазерах медичних досліджень. За аналізом температурних залежностей прямих і зворотних I-V-характеристик визначені енергетичні параметри гетеропереходу та механізми формування струмів у гетероструктурі. Запропонована модель визначення висоти енергетичного бар’єру у структурах з високим опором базової області. Встановлено профіль енергетичної діаграми гетероструктури, яка добре узгоджується із спостережуваними експериментально електрофізичними явищами. Проаналізовані процеси утворення фотоструму у гетероструктурі.	uk_UA
dc.language.iso	other	uk_UA
dc.publisher	Буковинський державний медичний університет	uk_UA
dc.subject	фоточутливість	uk_UA
dc.subject	лазери	uk_UA
dc.subject	спрей-піроліз	uk_UA
dc.title	Електричні властивості фоточутливих гетероструктур n-SnS2/p-InSe. Використання в медичних приладах діагностики	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.citation.conference	II науково-практична інтернет-конференція "Розвиток природничих наук як основа новітніх досягнень у медицині"	uk_UA
dc.event.place	м. Чернівці	uk_UA