dc.contributor.author |
Ткачук, І.Г. |
|
dc.coverage.temporal |
22 червня 2022 р. |
uk_UA |
dc.date.accessioned |
2024-06-24T09:46:27Z |
|
dc.date.available |
2024-06-24T09:46:27Z |
|
dc.date.issued |
2022 |
|
dc.identifier.isbn |
978-966-697-983-7 |
|
dc.identifier.other |
УДК 621.315.592 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/25295 |
|
dc.description.abstract |
Анотація. Досліджені умови виготовлення методом спрей-піролізу тонких плівок SnS2 на кристалічні підкладки p-InSe фоточутливих анізотипних гетеропереходів n-SnS2/p-InSe з подальшим застосуванням у лазерах медичних досліджень. За аналізом температурних залежностей прямих і зворотних I-V-характеристик визначені енергетичні параметри гетеропереходу та механізми формування струмів у гетероструктурі. Запропонована модель визначення висоти енергетичного бар’єру у структурах з високим опором базової області.
Встановлено профіль енергетичної діаграми гетероструктури, яка добре узгоджується із спостережуваними експериментально електрофізичними явищами. Проаналізовані процеси утворення фотоструму у гетероструктурі. |
uk_UA |
dc.language.iso |
other |
uk_UA |
dc.publisher |
Буковинський державний медичний університет |
uk_UA |
dc.subject |
фоточутливість |
uk_UA |
dc.subject |
лазери |
uk_UA |
dc.subject |
спрей-піроліз |
uk_UA |
dc.title |
Електричні властивості фоточутливих гетероструктур n-SnS2/p-InSe. Використання в медичних приладах діагностики |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.citation.conference |
II науково-практична інтернет-конференція "Розвиток природничих наук як основа новітніх досягнень у медицині" |
uk_UA |
dc.event.place |
м. Чернівці |
uk_UA |