Короткий опис(реферат):
Анотація. Досліджені умови виготовлення фоточутливих анізотипних гетеропереходів Mn2O3/n-InSe методом низькотемпературного спрей-піролізу тонких нанорозмірних плівок Mn2O3 на кристалічні підкладки n-InSe для використання їх у датчиках перевірки якості фармацевтичних препаратів. На основі аналізу температурних залежностей прямих і зворотних ВАХ встановлена динаміка зміни енергетичних параметрів та з’ясована роль енергетичних станів на межі гетеропереходу при формуванні контактної різниці потенціалів. Досліджено та визначено величину послідовного опору, а також вплив опору на енергетичні параметри. Визначені механізми формування прямого та зворотного струмів крізь енергетичний бар’єр Mn2O3/n-InSe. Досліджена спектральна залежність квантової ефективності опроміненої зі сторони плівки Mn2O3 гетероструктури Mn2O3/n-InSe в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3.2 eV.