Photosensitive CuFeO2 / n-InSe heterojunctions

Tkachuk, I.G.

dc.contributor.author	Tkachuk, I.G.	en
dc.coverage.temporal	06, 08 лютого 2023р.	uk_UA
dc.date.accessioned	2023-10-18T08:02:58Z
dc.date.available	2023-10-18T08:02:58Z
dc.date.issued	2023
dc.identifier.uri	http://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/21434
dc.description.abstract	Indium monoselenide InSe has a band gap Eg = 1.2 eV which is in the range of optimal values for photoelectric conversion of the solar spectrum in terrestrial conditions. The layered structure of InSe crystals with a weak Van der Waals bond between the layers provides them with an advantage over other semiconductors in the manufacture of substrates for heterostructures by avoiding ingot cutting operations, mechanical and chemical surface treatment. In addition, the resistance of InSe to radiation expands the scope of its use.	en
dc.format.extent	c. 428-429	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Буковинський державний медичний університет	uk_UA
dc.title	Photosensitive CuFeO2 / n-InSe heterojunctions	en
dc.type	Thesis	uk_UA
dc.event.place	Чернівці	uk_UA
dc.source.name	Збірник матеріалів підсумкової 104-ї науково-практичної конференції з міжнародною участю професорсько-викладацького персоналу Буковинського державного медичного університету	uk_UA