Показать сокращенную информацию

dc.contributor.author Tkachuk, I.G. en
dc.coverage.temporal 06, 08 лютого 2023р. uk_UA
dc.date.accessioned 2023-10-18T08:02:58Z
dc.date.available 2023-10-18T08:02:58Z
dc.date.issued 2023
dc.identifier.uri http://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/21434
dc.description.abstract Indium monoselenide InSe has a band gap Eg = 1.2 eV which is in the range of optimal values for photoelectric conversion of the solar spectrum in terrestrial conditions. The layered structure of InSe crystals with a weak Van der Waals bond between the layers provides them with an advantage over other semiconductors in the manufacture of substrates for heterostructures by avoiding ingot cutting operations, mechanical and chemical surface treatment. In addition, the resistance of InSe to radiation expands the scope of its use. en
dc.format.extent c. 428-429 uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Буковинський державний медичний університет uk_UA
dc.title Photosensitive CuFeO2 / n-InSe heterojunctions en
dc.type Thesis uk_UA
dc.event.place Чернівці uk_UA
dc.source.name Збірник матеріалів підсумкової 104-ї науково-практичної конференції з міжнародною участю професорсько-викладацького персоналу Буковинського державного медичного університету uk_UA


Файлы в этом документе

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию

Поиск в DSpace


Расширенный поиск

Просмотр

Моя учетная запись