Екситонна фотопровідність гетероструктур на основі селену галію і селену індію

Abstract

Анотація. У даній роботі представлені спектри фоточутливості різних типів гетеропереходів (ГП) на основі шаруватих кристалів АIIIBVI, виготовлених як з ван-дер-ваальсівським зв’язком пар на гетеромежі, так і з ковалентним, і обговорюються особливості їх екситонних смуг. Прикладами першого типу гетеропереходу послужили пари n-InSe–p-InSe, p-GaSe–n-InSe, p- GaSe–n-In4Se3, n-SnS2–p-InSe. В якості гетеропереходу з ковалентним зв’язком виявилися інші системи: In2O3–InSe, In2O3-Ga2O3-GaSe, In2O3-Ga2O3-GaTe. Зазначені гетеропереходи, сформовані за участю власних оксидів різної хімічної природи. У випадку, де оксид володіє провідними властивостями він відігравав безпосередню активну роль у формуванні гетеропереходу. Водночас, формування гетеропереходу з допомогою високотемпературного нагріву підкладок на повітрі, невимушено приводило до неконтрольованого росту власних оксидів на p-GaSe і p-GaTe, які проявили діелектричні властивості.