Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/25296
Название: | Екситонна фотопровідність гетероструктур на основі селену галію і селену індію |
Авторы: | Ткачук, І.Г. |
Ключевые слова: | гетероструктура поглинання фоточутливість |
Дата публикации: | 2022 |
Издательство: | Буковинський державний медичний університет |
Краткий осмотр (реферат): | Анотація. У даній роботі представлені спектри фоточутливості різних типів гетеропереходів (ГП) на основі шаруватих кристалів АIIIBVI, виготовлених як з ван-дер-ваальсівським зв’язком пар на гетеромежі, так і з ковалентним, і обговорюються особливості їх екситонних смуг. Прикладами першого типу гетеропереходу послужили пари n-InSe–p-InSe, p-GaSe–n-InSe, p- GaSe–n-In4Se3, n-SnS2–p-InSe. В якості гетеропереходу з ковалентним зв’язком виявилися інші системи: In2O3–InSe, In2O3-Ga2O3-GaSe, In2O3-Ga2O3-GaTe. Зазначені гетеропереходи, сформовані за участю власних оксидів різної хімічної природи. У випадку, де оксид володіє провідними властивостями він відігравав безпосередню активну роль у формуванні гетеропереходу. Водночас, формування гетеропереходу з допомогою високотемпературного нагріву підкладок на повітрі, невимушено приводило до неконтрольованого росту власних оксидів на p-GaSe і p-GaTe, які проявили діелектричні властивості. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/25296 |
ISBN: | 978-966-697-983-7 |
Располагается в коллекциях: | Секція 1. Новітні досягнення у біомедицині як наслідок розвитку природничих наук |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Tkachuk I.H. Eksytonna fotoprovidnist'_ukr_147-150.pdf | 312.99 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.