Електричні властивості фоточутливих гетероструктур n-SnS2/p-InSe. Використання в медичних приладах діагностики

Abstract

Анотація. Досліджені умови виготовлення методом спрей-піролізу тонких плівок SnS2 на кристалічні підкладки p-InSe фоточутливих анізотипних гетеропереходів n-SnS2/p-InSe з подальшим застосуванням у лазерах медичних досліджень. За аналізом температурних залежностей прямих і зворотних I-V-характеристик визначені енергетичні параметри гетеропереходу та механізми формування струмів у гетероструктурі. Запропонована модель визначення висоти енергетичного бар’єру у структурах з високим опором базової області. Встановлено профіль енергетичної діаграми гетероструктури, яка добре узгоджується із спостережуваними експериментально електрофізичними явищами. Проаналізовані процеси утворення фотоструму у гетероструктурі.