Моделювання нових структур для медичних датчиків на основі плівок делофасидів та шаруватих кристалів InSe

Abstract

Анотація Досліджені умови виготовлення фоточутливих анізотипних гетеропереходів CuFeO2/n-InSe методом низькотемпературного спрей-піролізу тонких плівок CuFeO2 на кристалічні підкладки n-InSe для використання їх як сенсорів сприйняття в медичних приладах. На основі аналізу температурних залежностей прямих і зворотних ВАХ встановлена динаміка зміни енергетичних параметрів та з’ясована роль енергетичних станів на межі гетеропереходу при формуванні контактної різниці потенціалів. Досліджено та визначено величину послідовного опору, а також вплив опору на енергетичні параметри. Визначені механізми формування прямого та зворотного струмів крізь енергетичний бар’єр CuFeO2/n-InSe. Досліджена спектральна залежність квантової ефективності опроміненої зі сторони плівки CuFeO2 гетероструктури CuFeO2/n-InSe в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3.2 eV.