Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/21434
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorTkachuk, I.G.en
dc.coverage.temporal06, 08 лютого 2023р.uk_UA
dc.date.accessioned2023-10-18T08:02:58Z-
dc.date.available2023-10-18T08:02:58Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.urihttp://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/21434-
dc.description.abstractIndium monoselenide InSe has a band gap Eg = 1.2 eV which is in the range of optimal values for photoelectric conversion of the solar spectrum in terrestrial conditions. The layered structure of InSe crystals with a weak Van der Waals bond between the layers provides them with an advantage over other semiconductors in the manufacture of substrates for heterostructures by avoiding ingot cutting operations, mechanical and chemical surface treatment. In addition, the resistance of InSe to radiation expands the scope of its use.en
dc.format.extentc. 428-429uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherБуковинський державний медичний університетuk_UA
dc.titlePhotosensitive CuFeO2 / n-InSe heterojunctionsen
dc.typeThesisuk_UA
dc.event.placeЧернівціuk_UA
dc.source.nameЗбірник матеріалів підсумкової 104-ї науково-практичної конференції з міжнародною участю професорсько-викладацького персоналу Буковинського державного медичного університетуuk_UA
Appears in Collections:СЕКЦІЯ 22. Фізичні дослідження в медицині

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Tkachuk I.G._427.pdf431.92 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.