Photosensitive CuFeO2 / n-InSe heterojunctions

Tkachuk, I.G.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/21434

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Tkachuk, I.G.	en
dc.coverage.temporal	06, 08 лютого 2023р.	uk_UA
dc.date.accessioned	2023-10-18T08:02:58Z	-
dc.date.available	2023-10-18T08:02:58Z	-
dc.date.issued	2023	-
dc.identifier.uri	http://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/21434	-
dc.description.abstract	Indium monoselenide InSe has a band gap Eg = 1.2 eV which is in the range of optimal values for photoelectric conversion of the solar spectrum in terrestrial conditions. The layered structure of InSe crystals with a weak Van der Waals bond between the layers provides them with an advantage over other semiconductors in the manufacture of substrates for heterostructures by avoiding ingot cutting operations, mechanical and chemical surface treatment. In addition, the resistance of InSe to radiation expands the scope of its use.	en
dc.format.extent	c. 428-429	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Буковинський державний медичний університет	uk_UA
dc.title	Photosensitive CuFeO2 / n-InSe heterojunctions	en
dc.type	Thesis	uk_UA
dc.event.place	Чернівці	uk_UA
dc.source.name	Збірник матеріалів підсумкової 104-ї науково-практичної конференції з міжнародною участю професорсько-викладацького персоналу Буковинського державного медичного університету	uk_UA
Располагается в коллекциях:	СЕКЦІЯ 22. Фізичні дослідження в медицині

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
Tkachuk I.G._427.pdf		431.92 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

DSpace JSPUI

DSpace сохраняет и позволяет легкий и открытый доступ ко всем видам цифрового контента, включая текст, изображения, анимированные изображения, MPEG и наборы данных