Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/21434
Название: | Photosensitive CuFeO2 / n-InSe heterojunctions |
Авторы: | Tkachuk, I.G. |
Дата публикации: | 2023 |
Издательство: | Буковинський державний медичний університет |
Краткий осмотр (реферат): | Indium monoselenide InSe has a band gap Eg = 1.2 eV which is in the range of optimal values for photoelectric conversion of the solar spectrum in terrestrial conditions. The layered structure of InSe crystals with a weak Van der Waals bond between the layers provides them with an advantage over other semiconductors in the manufacture of substrates for heterostructures by avoiding ingot cutting operations, mechanical and chemical surface treatment. In addition, the resistance of InSe to radiation expands the scope of its use. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsmu.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/21434 |
Располагается в коллекциях: | СЕКЦІЯ 22. Фізичні дослідження в медицині |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Tkachuk I.G._427.pdf | 431.92 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.